Электронные компоненты
ММБТ3904
Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.
Запросить этот компонент ↗NPN эпитаксиальный кремний, плоская конструкция.
Напряжение коллектора-эмиттера VCE=40В.
Ток коллектора IC=0.2A.
Граничная частота коэффициента передачи тока fT>300MHz @ IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz.
В соответствии с директивами ER RoHS 2002/95/EC.
Информация о товаре
ФУНКЦИИ
● NPN эпитаксиальный кремний, плоская конструкция.
● Напряжение коллектора-эмиттера VCE = 40 В.
● Ток коллектора IC = 0,2 А.
● Частота перехода fT>300MHz @ IC = 10mAdc, VCE = 20Vdc, f = 100MHz.
●В соответствии с директивами ER RoHS 2002/95/EC.
http://ru.misuxin-en.com/transistor/triode-transistor/mmbt3904.htmlПодготовьте запрос
Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.
Руководство по подготовке BOM →