Электронные компоненты
ИРФ540НПБФ
Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.
Запросить этот компонент ↗Информация о товаре
● Передовые технологические процессы
● Сверхнизкое сопротивление включению
● Динамический рейтинг dv / dt
● Рабочая температура 175 °C
● Быстрое переключение
● Полностью лавинный рейтинг
● Без свинца
Описание
Усовершенствованные мощные МОП-транзисторы HEXFET® от International Rectifier используют передовые методы обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на области кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные МОП-транзисторы HEXFET, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.
Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений с уровнями рассеивания мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому признанию во всей отрасли.
http://ru.misuxin-en.com/transistor/field-effect-transistor/irf540npbf.htmlПодготовьте запрос
Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.
Руководство по подготовке BOM →