МОП-транзистор G3R160MT17J

G3R160MT17J — это современный SiC MOSFET с максимальным номинальным напряжением 1700 В и низким сопротивлением в открытом состоянии 160 мОм. Передовая технология G3RTM позволяет использовать +15V-привод затвора, что обеспечивает превосходные характеристики переключения и снижает потери при переключении.

Это устройство имеет низкую емкость устройства (Coss, CRss), что значительно повышает эффективность в высокочастотных приложениях. Кроме того, он предлагает превосходное соотношение цены и качества, а это означает, что он обеспечивает исключительное соотношение цены и качества.

G3R160MT17J включает в себя прочный корпусной диод с низким напряжением обратного восстановления (Ve) и низким зарядом обратного восстановления (QR). Это обеспечивает надежность в требовательных приложениях и обеспечивает низкие потери при переключении.

Для дальнейшей оптимизации производительности G3R160MT17J в него был включен отдельный вывод источника драйвера. Это обеспечивает легкую интеграцию в различные системы и обеспечивает точное и эффективное управление.