LP2998‑Q1

Ключевые особенности

Тип:Регулятор завершения памяти DDR (генератор VTT/VREF)

Автомобильный класс:Соответствие AEC-Q100 (уровень 1, от –40 до +125 градусов)

Диапазон входного напряжения: 2.2 V – 5.5 V

Выходное напряжение (ВТТ):Треки ½ × VDDQ

Опорное напряжение (VREF):½ × VDDQ ± 1 %

Выходной ток:±2 А (типичная непрерывная возможность источника/приемника)

Падение напряжения:150 мВ типично при нагрузке 2 А

Ток покоя:150 мкА (типичное)

Частота переключения:Линейный регулятор (не-переключающий)

Стабильность:Требуются только керамические выходные конденсаторы емкостью 10 мкФ.

Тепловое отключение и защита от перегрузки по-току

Включить ПИН-код:Для управления питанием и управления системой

Упаковка:8-контактный SOIC (DDA) или WSON (NGD)

Диапазон рабочих температур:от –40 градусов до +125 градусов

Квалификация:AEC-Q100, доступен PPAP

Соответствует RoHS/REACH

---

Приложения

Автомобильные информационно-развлекательные и навигационные системы

Усовершенствованные системы помощи водителю (ADAS)

Автомобильные комбинации приборов

Оконечная нагрузка памяти DDR2 и DDR3 для ЭБУ, маршрутизаторов и шлюзов

Промышленные и встраиваемые вычислительные платформы

---

Сводная информация о производительности

Обеспечивает точное отслеживание DDR VTT и выход VREF.

Поддерживает системы памяти DDR2 (1,8 В VDDQ) и DDR3 (1,5 В VDDQ).

Быстрая переходная реакция на динамическую загрузку шины

Стабилен благодаря керамическим конденсаторам с низким ESR

Надежность и тепловая защита автомобильного-класса