Электронные компоненты
H9HCNNNNBKUMLXR-NEE
Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.
Запросить этот компонент ↗SK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE — это интегрированное запоминающее устройство uMCP (UFS + LPDDR4X MCP), которое сочетает в себе высокопроизводительную флэш-память UFS с малой-памятью LPDDR4X DRAM в одном компактном корпусе BGA. Оно предназначено для смартфонов, планшетов, модулей AIoT, носимых устройств и встроенных платформ, требующих высокой пропускной способности и эффективного энергопотребления.
Информация о товаре
LPDDR4X ОЗУ
Память с высокой пропускной способностью, оптимизированная для мобильных SoC
Скорость передачи данных до4266 Мбит/с
Низковольтный-ввод-вывод для повышения энергоэффективности
Поддерживает режимы глубокого-выключения питания (DSM, PASR)
UFS NAND флэш-память
Высокоскоростной-интерфейс UFS с поддержкой последовательного чтения и записи.
Улучшен произвольный ввод-вывод по сравнению с eMMC.
Поддерживает расширенные функции:
Очередь команд
Высокоскоростное-переключение передач
Режимы низкого-энергопотребления
Встроенная-ECC и выравнивание износа-обеспечивают долгий срок службы
http://ru.misuxin-en.com/other-electronic-components/h9hcnnnbkumlxr-nee.htmlПодготовьте запрос
Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.
Руководство по подготовке BOM →