Электронные компоненты
Память DDR SDRAM IC MT53E512M32D1ZW-046
Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.
Запросить этот компонент ↗Информация о товаре
Описание продукции
|
MT53E512M32D1ZW-046 — это микросхема памяти DDR SDRAM. |
Функции
MT53E512M32D1ZW-046 — это усовершенствованная память DDR SDRAM LPDDRL, разработанная для обеспечения надежной и эффективной работы. Этот модуль памяти оснащен сверхнизковольтными источниками питания ядра и ввода-вывода, что позволяет ему работать плавно и эффективно, не потребляя чрезмерной мощности.
Одной из ключевых особенностей этой DDR SDRAM LPDDRL является архитектура DDR с предварительной выборкой 16n. Эта архитектура отвечает за повышение общей производительности модуля памяти, обеспечивая быстрый и эффективный доступ к данным и их передачу.
В дополнение к архитектуре DDR с упреждающей выборкой этот модуль памяти способен обеспечивать скорость до 8,5 ГБ/с на канал x16 кристалла, что делает его отличным выбором для приложений, требующих высокоскоростной обработки данных.
Еще одной важной особенностью DDR SDRAM LPDDRL является возможность остановки тактовой частоты. Эта функция позволяет модулю памяти отключать тактовый сигнал в периоды бездействия, помогая сохранить мощность и продлить срок службы устройства.
В целом MT53E512M32D1ZW-046 — это мощная память DDR SDRAM LPDDRL, ориентированная на обеспечение надежной и эффективной работы. Это отличный выбор для широкого спектра применений, который обязательно удовлетворит потребности даже самых требовательных пользователей.
Параметры
| Способ упаковки | Рабочее напряжение | Рабочая температура |
| ТФБГА-200 | 1.1V - 1.8V | -25 градус до 85 градусов |
Конфигурация контактов
Документы и техническая информация
http://ru.misuxin-en.com/other-electronic-components/ddr-sdram-memory-ic-mt53e512m32d1zw-046.htmlПодготовьте запрос
Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.
Руководство по подготовке BOM →