Запросить предложениеЗапрос цены
MT41K256M16HA-125_E

Электронные компоненты

MT41K256M16HA-125_E

Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.

Запросить этот компонент ↗

Отправить полную BOM →

Информация о товаре

DDR3L SDRAM (1,35 В) — это низковольтная версия DDR3 (1,5 В) SDRAM. При работе в режиме совместимости с напряжением 1,5 В см. технические характеристики DDR3 (1,5 В) SDRAM.

 

Функции

Это отличный чип памяти - MT41K256M16HA-125_ E. Он использует технологию дифференциального двунаправленного стробирования данных, которая может эффективно уменьшать помехи и ошибки во время передачи данных, а также обладает хорошей надежностью и стабильностью. Кроме того, чип также использует 8n -битная архитектура предварительной выборки, которая может одновременно извлекать большой объем данных из памяти, что значительно повышает скорость отклика системы и значительно снижает задержку доступа к памяти и время загрузки.


Для дальнейшего повышения стабильности и надежности чипа MT41K256M16HA-125_ E также оснащен технологией номинального и динамического согласования кристалла, которая может автоматически адаптировать импеданс сигнала во время доступа к памяти, эффективно уменьшая отражение сигнала и электромагнитные помехи. обеспечение целостности и точности передачи данных.


Кроме того, чип также может изменять время доступа с помощью программируемой технологии аддитивной задержки CAS для достижения более высокой производительности и меньшей задержки. В то же время он также поддерживает несколько режимов, таких как самообновление и автоматическое обновление, которые можно гибко переключать в соответствии с потребностями, обеспечивая стабильную работу системы в различных сценариях работы.


Наконец, MT41K256M16HA-125_ E также имеет богатые многофункциональные регистры, которые могут при необходимости настраивать архитектуру и производительность памяти, снижая риск системных ошибок и повышая стабильность и надежность всей системы. Подводя итог, MT41K256M16HA{{8 }} E — это высокопроизводительный, стабильный и надежный чип памяти с высокой потребительской ценностью и конкурентоспособностью на рынке, который очень подходит для различных высокопроизводительных вычислений, приложений хранения и обработки данных.

 

Параметры

Способ упаковки

Входное напряжение

Рабочая температура

ФБГА от 1,283 В до 1,45 В 0 градус до 95 градусов

 

Приложение

Встраиваемые системы и электронные продукты

 

Позитивное фото

product-800-800product-800-800

 

product-800-800

Функциональная блок-схема

product-883-475

Документы и техническая информация

http://ru.misuxin-en.com/memory/ddr-sdram/mt41k256m16ha-125_e.html

Подготовьте запрос

Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.

Руководство по подготовке BOM →
Запросить этот компонент ↗