Запросить предложениеЗапрос цены
AS4C32M16SB-7ИНН

Электронные компоненты

AS4C32M16SB-7ИНН

Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.

Запросить этот компонент ↗

Отправить полную BOM →

Информация о товаре

SDRAM объемом 512 МБ представляет собой высокоскоростную синхронную DRAM-память CMOS емкостью 512 Мбит. Внутренне он сконфигурирован как 4 банка по 8 М слов x 16 DRAM с синхронным интерфейсом (все сигналы регистрируются по положительному фронту тактового сигнала, CLK).

Функции

Микросхема памяти AS4C32M16SB-7TIN SDRAM — это усовершенствованная высокопроизводительная микросхема памяти, предназначенная для быстрого и надежного доступа к данным. Этот чип имеет быстрое время доступа от часов, что гарантирует быстрое и эффективное чтение и запись данных.

Одной из ключевых особенностей этого чипа памяти является его высокая тактовая частота 166/143 МГц, что позволяет ему работать на высокой скорости. Его полностью синхронная работа гарантирует, что данные передаются между чипом памяти и процессором очень эффективно и надежно.

 

Внутренняя конвейерная архитектура чипа памяти AS4C32M16SB-7TIN позволяет ему передавать данные с гораздо более высокой скоростью, чем другие чипы памяти. Кроме того, этот чип имеет регистры программируемого режима, которые можно настроить в соответствии с конкретными требованиями пользователя.

 

Кроме того, чип имеет функции автоматического и самообновления, которые обеспечивают сохранность данных. Режим пониженного энергопотребления CKE — еще одна функция, помогающая снизить энергопотребление.

 

В целом, микросхема памяти AS4C32M16SB-7TIN SDRAM представляет собой усовершенствованную и высокопроизводительную микросхему, обеспечивающую быстрое время доступа, высокую тактовую частоту, полностью синхронную работу, внутреннюю конвейерную архитектуру, регистры программируемого режима, автоматическое обновление, самообновление и т. д. и режим отключения питания CKE. Этот чип идеально подходит для приложений, требующих высоконадежных и эффективных микросхем памяти.

 

Параметры

 

Способ упаковки Входное напряжение Рабочая температура
ТСОП-54 3.3V -40 градус ~ 85 градусов

 

Приложение

 

пропускная способность памяти и хорошо подходит для ПК

 

Позитивное фото

 

product-800-800

 

Конфигурация контактов

 

product-236-384

 

 

Документы и техническая информация

http://ru.misuxin-en.com/memory/ddr-sdram/as4c32m16sb-7tin.html

Подготовьте запрос

Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.

Руководство по подготовке BOM →
Запросить этот компонент ↗