Электронные компоненты
PALC22V10D-15DMB 5962-8984103LA
Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.
Запросить этот компонент ↗Информация о товаре
Описание продукции
|
Cypress PALC22V10D — это программируемое логическое устройство второго поколения с возможностью стирания флэш-памяти КМОП. Он реализован с помощью знакомой логической структуры суммы произведений (И-ИЛИ) и программируемой макроячейки.
|
Функции
PALC22V10D-15DMB — это усовершенствованное перепрограммируемое устройство CMOS PAL, в котором используется технология Flash EPROM для электрического стирания и перепрограммирования. Он имеет переменные условия продукта и программируемую пользователем макроячейку, что обеспечивает большую гибкость при проектировании цифровых схем.
Это высоконадежное устройство построено на архитектуре PAL второго поколения, которая обеспечивает улучшенную производительность и функциональность по сравнению с более ранними моделями. Благодаря своей передовой технологии PALC22V10D-15DMB является отличным выбором для широкого спектра приложений, включая промышленную автоматизацию, телекоммуникации и бытовую электронику.
Помимо своих многочисленных функций, PALC22V10D-15DMB известен своей высокой надежностью. Это связано с использованием технологии CMOS, которая обеспечивает превосходную долговечность, длительную работу и энергоэффективность. Независимо от того, разрабатываете ли вы сложную цифровую схему или простой микроконтроллер, PALC22V10D-15DMB станет надежным и высокопроизводительным решением.
Параметры
| Способ упаковки | Входное напряжение | Рабочая температура |
| ПДИП/КРИП | От {{0}}.5В до +7.0В | от −65 градусов до +150 градусов |
Измерение
Документы и техническая информация
http://ru.misuxin-en.com/integrated-circuit/programmable-logic-device/palc22v10d-15dmb-5962-8984103la.htmlПодготовьте запрос
Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.
Руководство по подготовке BOM →