Электронные компоненты
EV2A16AMNYU35
Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.
Запросить этот компонент ↗Информация о товаре
Описание продукции
|
EV2A16A — это 4194304-битное магниторезистивное запоминающее устройство с произвольным доступом (MRAM), организованное как 262144 слова по 16 бит.
|
Функции
EV2A16AMNYU35 — высокоскоростное и гибкое решение MRAM для ваших потребностей в памяти. Благодаря возможностям симметричного чтения и записи и быстрому доступу вы можете быть уверены, что ваши данные будут обработаны быстро и эффективно.
EV2A16AMNYU35 обеспечивает гибкое управление шиной данных, обеспечивая как 8-битный, так и 16-битный доступ. Кроме того, одинаковый адрес и время доступа с поддержкой чипа обеспечивают бесперебойный доступ и обработку данных.
Это решение не только быстрое и эффективное, но также обеспечивает автоматическую защиту данных для дополнительной безопасности. А благодаря полностью статичной работе вы можете быть уверены, что
EV2A16AMNYU35 обеспечит надежную работу памяти.
Короче говоря, EV2A16AMNYU35 — это первоклассное решение MRAM, которое предлагает высокоскоростное, гибкое и надежное решение для хранения всех ваших данных.
Параметры
| Способ упаковки | Входное напряжение | Рабочая температура |
| ТСОП-2 | {{0}}.5 до 4,0 В | -55 градус до 125 градусов |
Измерение
Документы и техническая информация
http://ru.misuxin-en.com/integrated-circuit/programmable-logic-device/ev2a16amnyu35.htmlПодготовьте запрос
Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.
Руководство по подготовке BOM →