Электронные компоненты
ЭЛ817К
Укажите количество, требуемую дату и требования к документации. Наличие и условия поставки подтверждаются при подготовке коммерческого предложения.
Запросить этот компонент ↗Информация о товаре
Каждое устройство серии EL817 состоит из инфракрасных диодов, оптически соединенных с фототранзисторным детектором. Они упакованы в 4-контактный DIP-корпус и доступны с широким расстоянием между выводами и в варианте SMD.
Функции
EL817C является прекрасным примером превосходной 4-контактной фототранзисторной фотопары DIP серии EL817, которая может похвастаться высоким напряжением изоляции между входом и выходом. Небольшой внешний вид позволяет легко использовать его в различных приложениях.
Эта фототранзисторная фотопара является надежным и эффективным компонентом, который можно использовать в широком спектре устройств. Его высокое напряжение изоляции между входом и выходом гарантирует отсутствие электрических помех между ними, что делает его идеальным для приложений, критически важных для безопасности.
Более того, небольшой корпус EL817C позволяет легко монтировать его на печатную плату, и он занимает на плате очень мало места. Эта особенность делает его идеальным для устройств, которым требуются компактные и эффективные компоненты.
В заключение отметим, что EL817C — это выдающаяся 4-контактная фототранзисторная фотопара DIP, которая обеспечивает высокое напряжение изоляции, небольшой размер корпуса и надежную работу. Это идеальный выбор для тех, кому необходимо использовать в своих устройствах надежную и эффективную фототранзисторную оптопару.
Параметры
| Способ упаковки | Входное напряжение | Рабочая температура |
| ОКУНАТЬ | от 6 В до 35 В | -55 градус до 110 градусов |
Приложение
Анод-катод-эмиттер-коллектор
Позитивное фото
Измерение
Документы и техническая информация
http://ru.misuxin-en.com/integrated-circuit/programmable-logic-device/el817c.htmlПодготовьте запрос
Укажите полный артикул, количество, требуемую дату и требования к упаковке или документации. Для нескольких позиций приложите BOM.
Руководство по подготовке BOM →