Диффузия и рекомбинация электронов в области основания триода

После того, как электроны входят в базовую область, они сначала концентрируются вблизи эмиттерного перехода и постепенно образуют разницу в концентрации электронов. Под действием разности концентраций поток электронов способствует диффузии к коллекторному переходу в базовой области и втягивается в коллектор электрическим полем коллекторного перехода. регион формирует коллекторный ток Ic. Существует также очень небольшая часть электронов (потому что площадь основания очень тонкая) рекомбинирует с дырками в области основания, а отношение рассеянного потока электронов к рекомбинационному потоку электронов определяет способность триода к усилению.